SK海力士（SK Hynix）8月7日宣布，其董事會已批准一項總額達54.3兆韓元（約383億美元）的投資計畫，預計投資將持續至2031年。

其中，35.2兆韓元將投入位於龍仁的第二期晶圓廠（Y2廠）工程，另外19.1兆韓元則用於清州的M17晶圓廠。

龍仁Y2廠將成為SK海力士的DRAM生產基地，第一座無塵室預計生產高頻寬記憶體（HBM）及其他下一代DRAM產品。該廠預計於2027年7月動工，第一座無塵室預計於2029年6月啟用。

至於清州M17晶圓廠，將生產NAND快閃記憶體，預計於2027年2月動工，第一座無塵室則預計在2028年12月啟用。

此外，SK海力士也表示正在積極研議進一步提升股東價值的相關措施，具體內容預計將於第三季敲定並公布。